Simulado com questões de Tecnologia para concursos 2024

1.

(IADES) - Processo em que a corrosão vertical acontece de forma significativamente mais rápida que a corrosão lateral, produzindo um perfil vertical e resultando na obtenção de estruturas pequenas (com largura ≤ 3 m). O processo descrito é característico da:

(A) isotropia.

(B) uniformidade.

(C) anisotropia.

(D) seletividade.

(E) taxa de corrosão.

2.

(IADES) - Em relação aos processos de deposição e de corrosão por descarga luminosa, utilizados na fabricação de dispositivos e circuitos para microeletrônica, assinale a alternativa correta:

(A) A corrosão seca de fotorresistes não pode ser utilizada na fabricação de dispositivos e de circuitos de microeletrônica.

(B) Temperaturas extremamente altas nunca podem ser aplicadas para a obtenção do plasma.

(C) O plasma usado para deposição de filmes finos em microeletrônica é sempre uma descarga luminosa de alta pressão.

(D) O plasma produzido por campo elétrico RF ou micro-ondas não deve ser utilizado para a deposição de filmes finos.

(E) No plasma de ionização fraca, usado em microeletrônica para deposição de filmes finos, os átomos, os radicais livres e as moléculas estão presentes em maiores concentrações do que os íons e são os principais responsáveis pelas reações de crescimento ou de corrosão de filmes

3.

(IADES) - Acerca dos conceitos e dos aspectos físicos e elétricos do plasma, assinale a alternativa correta:

(A) No reator de placas paralelas, o plasma é formado entre os dois eletrodos, um sob potencial e o outro aterrado, sendo os elétrons do plasma responsáveis pela ionização e pela dissociação dos gases usados.

(B) Os parâmetros do plasma não afetam as características elétricas da descarga luminosa.

(C) A frequência de excitação não influencia a energia cinética média dos íons que bombardeiam as superfícies em contato com o plasma.

(D) A região de sombra, ou sheath, é a região onde o volume principal do plasma é separado dos elétrons por uma camada de alta concentração de elétrons.

(E) Os potenciais do plasma e dos eletrodos permanecerão inalterados mesmo que haja variação na potência de RF na entrada.

4.

(IADES) - Considerando os principais tipos de fitas utilizadas na etapa de redução da espessura da lâmina de silício para a produção de microprocessadores, é correto afirmar que fitas:

(A) usadas em processos sujeitos à irradiação ultravioleta são projetadas para a proteção do lingote de silício.

(B) recomendadas para procedimentos que não estão sujeitos à irradiação ultravioleta são projetadas para a proteção do lingote de silício.

(C) indicadas para procedimentos que estão sujeitos à irradiação ultravioleta são projetadas para serem retiradas com facilidade antes da irradiação.

(D) usadas em processos sujeitos à irradiação ultravioleta são projetadas para a proteção da superfície do material semicondutor.

(E) indicadas para procedimentos que não estão sujeitos à irradiação ultravioleta são projetadas para a proteção superficial da lâmina de corte.

5.

(IADES) - O reator de plasma acoplado indutivamente (ICP) produz plasmas de alta densidade. Em relação a esse assunto, assinale a alternativa correta:

(A) Nesse tipo de reator, a potência RF é aplicada a uma bobina indutiva plana em espiral, localizada na parte superior do reator. Essa bobina não pode ser separada do plasma por nenhum tipo de placa isolante.

(B) Uma opção nesse reator é usar ímãs permanentes em torno da circunferência exterior do plasma. Eles ajudarão a melhorar a uniformidade e o confinamento do plasma e a diminuir a respectiva densidade.

(C) Não é permitida a utilização de uma fonte adicional de alimentação de DC ou RF para a polarização da lâmina.

(D) Ao contrário dos reatores de placas paralelas acoplados capacitivamente, que geralmente operam com potências de algumas dezenas ou centenas de watts, o reator ICP pode operar em níveis de potência de até 2 kW.

(E) Esse reator é capaz de produzir um plasma altamente uniforme, contudo não consegue processar lâminas com diâmetros maiores que 20 centímetros.

6.

(IADES) - A respeito das características importantes do processo de corrosão, é correto afirmar que a:

(A) seletividade é definida como a profundidade (h) do material corroído, dividida pelo tempo total (t) de corrosão.

(B) anisotropia é a relação entre as taxas de corrosão verticais dos distintos materiais em um plasma.

(C) uniformidade refere-se à manutenção de diferentes taxas de corrosão durante o processo em qualquer ponto da amostra.

(D) geometria do reator, a composição do gás e outros parâmetros de operação não causam variações na taxa de corrosão.

(E) qualidade da superfície caracteriza os danos e os defeitos produzidos pela corrosão e depende de uma série de fatores, tais como: temperatura, bombardeio de íons, reagentes e orientação cristalográfica.

7.

(IADES) - Considerando o uso de sistemas automáticos de laminação de camadas protetoras em material semicondutor, é correto afirmar que:

(A) o sistema ideal de laminação de uma fita com a circunferência da lâmina semicondutora apresenta melhor resultado após o processo de afinamento.

(B) a automatização do processo, em escala, não assegura redução do custo de operação.

(C) a aplicação, a priore, da laminação requer um pré-corte da fita no formato redondo da lâmina de base.

(D) os esforços de laminação tendem a aumentar em virtude do aumento da taxa de fixação da fita.

(E) o uso de uma câmara de vácuo contribui para a eliminação de bolhas de ar e preserva a integridade do material de base para chips.

8.

(IADES) - Acerca do processo de passivação, é correto afirmar que a (o):

(A) limpeza prévia da superfície, para garantir que ela esteja livre de qualquer camada de óxido e sem contaminação orgânica, ou por lubrificante de máquinas operatrizes, óleo ou graxa, é dispensável no processo.

(B) decapagem é uma operação de limpeza, e a passivação é uma operação de proteção.

(C) ácido nítrico não é um dos reagentes comercialmente disponíveis utilizados para tratamentos de passivação para aços inoxidáveis.

(D) passivação deve ser realizada antes da decapagem.

(E) tratamento de passivação não pode ser utilizado para peças usinadas.

9.

(IADES) - Processos convencionais de fabricação de microprocessadores com aplicações em processamento de imagens de ressonância magnética podem ser formados por etapas sistemáticas. Acerca desse assunto, assinale a alternativa que apresenta a ordem mais indicada para essas etapas:

(A) Aplicação da fita para laminação, afinamento da lâmina, aplicação da fita de corte, retirada da fita de proteção e corte completo da lâmina de silício em cubos.

(B) Corte parcial em cubos, aplicação da fita de laminação, afinamento da lâmina, aplicação da fita de corte e retirada da fita de proteção.

(C) Aplicação da fita de corte, corte total da lâmina de silício em cubos, aplicação da fita para laminação, afinamento da lâmina e retirada da fita de proteção.

(D) Aplicação da fita para laminação, aplicação da fita de corte, afinamento da lâmina, corte completo da lâmina de silício em cubos e retirada da fita de proteção.

(E) Aplicação da fita para laminação, afinamento da lâmina, aplicação da fita de corte, corte parcial da lâmina de silício em cubos e retirada da fita de proteção.

10.

(IADES) - A respeito de fitas usadas para o corte de material semicondutor em cubos, para a fabricação de microchips, assinale a alternativa correta:

(A) Elas são usadas para proteger a superfície do material cortante durante o processo mecânico.

(B) A respectiva tensão de adesividade, por cada unidade de área, diminui consideravelmente com a incidência de irradiação ultravioleta.

(C) A respectiva camada adesiva apresenta espessura superior à da película de base.

(D) Elas são comumente recomendadas para fixar o material de base para circuito integrado no suporte apropriado para o esmerilhamento dele.

(E) Sua camada adesiva e a película de base podem ser fabricadas de acrílico e de poliolefinas, respectivamente.

11.

(IADES) - Na fabricação de microchips, o processo de laminação antes do afinamento do material de base deve, necessariamente, controlar os parâmetros de:

(A) velocidade, pressão e temperatura.

(B) força, velocidade e porosidade.

(C) temperatura, velocidade e massa.

(D) força, temperatura e massa.

(E) pressão, porosidade e massa.

12.

(IADES) - Como alternativa aos processos convencionais de obtenção de chips aplicados a sistemas eletrônicos de alta qualidade, o processo DBG se apresenta como opção vantajosa. A respeito desse tema, assinale a alternativa correta quanto à
sequência que retrata corretamente esse procedimento.

(A) Corte completo do wafer, aplicação da fita protetora por laminação, afinamento do wafer, aplicação da fita de corte e retirada da fita de proteção.

(B) Aplicação da fita para laminação, afinamento da lâmina, aplicação da fita de corte, retirada da fita de proteção e corte completo do wafer em cubos.

(C) Corte parcial do wafer, aplicação da fita protetora por laminação, afinamento do wafer, aplicação da fita de corte e retirada da fita de proteção.

(D) Aplicação da fita para laminação, afinamento da lâmina, aplicação da fita de corte, retirada da fita de proteção e corte parcial do wafer em cubos.

(E) Afinamento da lâmina, aplicação da fita para laminação, aplicação da fita de corte, corte completo do wafer em cubos e retirada da fita de proteção.

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